Meus cientistas alcançaram novos progressos na pesquisa de grafeno concurso da quina 5998
A estrutura única do grafeno contém física rica e nova, que não apenas fornece uma importante plataforma de pesquisa para ciência básica, mas também mostra amplas perspectivas de aplicações nos campos de eletrônicos, optoeletrônicos e dispositivos flexíveis.Para dar jogo completo à excelente natureza do grafeno e realizar sua produção e aplicação industrial, o método de preparação de material apropriado deve ser encontrado, para que o grafeno preparado possa atender às condições como grandes áreas, alta qualidade e tecnologia de silício existente .A partir de agora, os cristais únicos de grafeno de grande escala e alta qualidade são geralmente obtidos da extensão da superfície do metal de transição, mas o processo de transferência complexo subsequente geralmente causa a degeneração do grafeno e a poluição da interface, o que dificulta o grafeno em eletrônicos na aplicação eletrônica do dispositivo. concurso da quina 5998
Nos últimos anos, Gao Hongjun, acadêmico da Academia Chinesa de Ciências, o Instituto de Física da Academia Chinesa de Ciências/Pequim Centro de Pesquisa Nacional de Física de Concreto, levou a equipe a preparar, regulação material e aplicação de grafeno e grafeno dois - Cristais atômicos dimensionais em grafeno e grafereno materiais de lente atômica bidimensionais, etc. Realizou pesquisa e exploração e alcançou uma série de resultados de pesquisa.No início do trabalho de pesquisa, os pesquisadores descobriram que o grafeno, que se estende na superfície do metal de transição, tem as vantagens de grande escala, alta qualidade, número contínuo e controlável. processo, de modo que cristais únicos de grafeno de alta qualidade de alta qualidade podem ser colocados na base de elementos heterogêneos sem danos.Posteriormente, os pesquisadores revelaram o mecanismo universal da camada de plug -in não -destrutiva de grafeno;
Com base na pesquisa acima, o pós -doutorado Guo Hui, o estudante de doutorado Wang Xueyan e o vice -engenheiro -chefe Huang Li da equipe de pesquisa continuaram trabalhando duro para alcançar o isolamento da superfície metálica do grafeno de alta qualidade dispositivo.Os pesquisadores alcançaram a extensão do tamanho cerido e a extensão do grafeno granular único na superfície da Ru (0001); Com a base de Ru alcança o crescimento do filme de dióxido de silício; O filme atinge uma certa espessura, o grafeno e a base de metal são isolados;No experimento, primeiro examinando a pesquisa de microscópios eletrônicos transmitidos por meio de uma seção cruzada, que prova a estrutura de camadas duplas do dióxido de silício cristalino de camadas finas, combinado ainda mais com a pesquisa de microscopia de túneis de varredura e espectro Raman, indicando que o grafeno ainda é grande depois que a camada de inserção de dióxido de silício ainda é grande, a área é contínua e alta qualidade; nanômetros; in situ, e através do teste de transporte de baixa temperatura e campos magnéticos fortes, foram observados o número inteiro de efeito estendido do salão de grafeno e fraco e anti -localização do grafeno.Esses fenômenos são derivados da natureza do grafeno, o gás eletrônico bidimensional, que prova ainda que os plugues de sílica amorfosos de sílica amorfa 1,8 não destroem as características de grafeno e grafeno e grafeno de alta e alta qualidade, e grafeno e grafeno isolados e o grafeno isolados e o grafeno e acoplamento entre a base de metal. concurso da quina 5998
O estudo fornece um novo método para integrar a tecnologia baseada em silício, preparar cristais únicos em escala de grande escala e alta qualidade e fornece a base para a aplicação de materiais de grafeno e seu dispositivo. concurso da quina 5998
(Repórter Zhan Yuan, um correspondente do jornal, Guo Hui)
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